产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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BUK9610-55A,118-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STP14NF12-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,18A,RDS(on)=127(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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STP14NF12
STP14NF12
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BSH205G2VL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-3.5A,RDS(on)=71(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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RJK1028DSP-00#J5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,100V,4.2A,RDS(on)=124(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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NTMFS003P03P8ZT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-30V,-120A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.68
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IRF520A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,18A,RDS(on)=127(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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AUIRF3305-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NGTB40N120L3WG-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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IGBT+FRD,1200V,40A,VCEsat=1.55V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5.5V
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IRFU210PBF-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,200V,8A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TPC8108-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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BUK7660-100A,118-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,45A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IRFI4410ZPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,120A,RDS(on)=3.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRFI4410ZPBF;IRFI4410ZPBF
IRFI4410ZPBF;IRFI4410ZPBF
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BSC014N04LSATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,180A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TK20E60W5-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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1N65G-TA3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,2A,RDS(on)=3120(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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