产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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ISL9N306AD3ST-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SQ2361CES-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-60V,-5.2A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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2SK3435-Z-E1-AZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NX3020NAK,215-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NX3020NAK,215
NX3020NAK,215
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SI7431DP-VB
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P沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-200V,-25A,RDS(on)=122(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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TPC8104-H-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-5.8A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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SIR840DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,120A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-70A,RDS(on)=5.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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IPP90R340C3XKSA1-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,900V,15A,RDS(on)=420(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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CPH3337-T-TL-E-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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HAT2215RJ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,80V,3.5A,RDS(on)=62(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRFR18N15DPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,150V,25.4A,RDS(on)=74(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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STF30N10F7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,50A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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9R500C-VB TO247
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,900V,20A,RDS(on)=205(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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KD2301-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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