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产品列表

共计 22704 条库存
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NTD12N10G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
GAN140-650FBE-VB
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
Single-N,650V,20A,RDS(on)=110@VGS=6V,VGS=-1.5~7V,Vth=1.5V
BSZ900N15NS3 G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,150V,25.5A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BUK9207-30B-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IPD350N06LG-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IPD350N06LG;IPD350N06LG
IPD350N06LG;IPD350N06LG
BUK9Y21-40E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
NVMFS5C430NAFT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,180A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
STL24N65M2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8X8
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
NTTFS015P03P8ZTWG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-30V,-45A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
IXTX110N20L2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,200V,96A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=4V
FQD7P06TM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
FQD7P06TM;FQD7P06TM
FQD7P06TM;FQD7P06TM
IPTC017N12NM6ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TOLT-16
N-Ch,100V,415A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPTC017N12NM6ATMA1;IPTC017N12NM6ATMA1
IPTC017N12NM6ATMA1;IPTC017N12NM6ATMA1
DMN63D1L-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
HM4409-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-13.5A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
RC2301-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V