产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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SQ2303ES-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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NVMFS5C468NT1G-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,70A,RDS(on)=4.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IRLZ44PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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PSMN2R0-60PS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,270A,RDS(on)=2.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRLZ44SPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,75A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2N7002KA-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2N7002KA
2N7002KA
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2SK3116-S-AZ-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1300(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STN4480S8RG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,40V,10A,RDS(on)=14(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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STD7NS20T4-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,200V,10A,RDS(on)=245(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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2SK2952-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,550V,18A,RDS(on)=260(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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AP15N03H-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI7613DN-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
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05N50-VB TO220F
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SIR664DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IXTQ150N06P-VB
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低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=5.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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