首页 >  微碧 直营品牌站 >  产品中心

产品列表

共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
型号 分类 品牌 批号 封装 参数规格 替代参考 询价
AM40P03-20D-T1-PF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-30V,-40A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
AM40P03-20D-T1-PF(ANALOGPOWER)
AM40P03-20D-T1-PF(ANALOGPOWER)
SI4838BDY-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,25A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SUD70090E-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
RTQ030P02-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-6
P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
NCE1505S-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,150V,7.7A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NCE1505S
NCE1505S
BSO613SPV-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-60V,-8A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
FDMC86324-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,100V,35.5A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
SI7214DN-T1-E3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)-B
N+N-Ch,30V,26A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
TK5A50D-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
TK5A50D;TK5A50D
TK5A50D;TK5A50D
AM4902N-T1-PF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
N6066SD-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
80P06-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
BUK7516-55A,127-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
MTB50P03HDLT4G-VB
P沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-30V,-75A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G
BSS214N-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
BSS214N;BSS214N
BSS214N;BSS214N