产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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SI4599DY-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±60V,5.3/-4.9A,RDS(on)=26/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
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SQJA68EP-T1_GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,100V,69A,RDS(on)=11.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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TK3A90E,S4X-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,950V,3A,RDS(on)=5400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRFR9210PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-200V,-3.6A,RDS(on)=2000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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DMN3112SSS-13-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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UPA2752GR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,30V,8.5A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTD4815NT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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CEU4311-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-30V,-40A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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BSP129H6327-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT-223
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BSP129H6327
BSP129H6327
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IRF510-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,100V,18A,RDS(on)=127(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IRF510;IRF510
IRF510;IRF510
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K1817-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,50A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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BSZ099N06LS5ATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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QFN8(3*3)
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APM2317AC-TRG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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MMBT7002-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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MMBT7002;MMBT7002
MMBT7002;MMBT7002
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BSO040N03MS G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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