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产品列表

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DMT10H009SCG-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,100V,50A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
AO4627-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
ZXMP3A16GTC-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT223
P-Ch,-40V,-6.2A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
AP83T03GM-HF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
WPM9435-8TR-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-5.8A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
FDMS8674-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRLML6401GTRPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
IRLML6401GTRPBF(INFINEON/英飞凌)
IRLML6401GTRPBF(INFINEON/英飞凌)
IRFI4229PBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,250V,40A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
2SK2141-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPTC007N06NM5ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TOLT-16
N-Ch,100V,415A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
TK25A10K3-VB
中低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,100V,50A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
TK25A10K3;TK25A10K3
TK25A10K3;TK25A10K3
FQB27P06-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-60V,-35A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
STN454D-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
DMP32M6SPS-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
P-Ch,-30V,-120A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.68
AOD5N40-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V