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产品列表

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DMP3007SCG-7-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-30V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
DMP3007SCG-7
DMP3007SCG-7
SSM6J512NU-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
P-Ch,-20V,-10A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
SQJ422EP-T1_GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
RJK2017DPE-00#J3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,200V,45A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
ISC0703NLSATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,80A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
RJK03E3DNS-WS#J5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,60A,RDS(on)=3.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
2SK3147L-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO251
N-Ch,100V,12A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
PSMN6R0-30YLDX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,30V,90A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.8V
SI4056DY-T1-GE3-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,100V,10.4A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
SI4056DY-T1-GE3;SI4056DY-T1-GE3
SI4056DY-T1-GE3;SI4056DY-T1-GE3
FDP090N10-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
FDP090N10
FDP090N10
SM3116NAUC-TRG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SM3116NAUC-TRG
SM3116NAUC-TRG
MCTL1D4N04YL-TP-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TOLL
N-Ch,40V,330A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
HP8JE5TB1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN5*6-B
SM2309PSAC-TRG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
TK125E60Z1,S1X-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,600V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V