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产品列表

共计 22704 条库存
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AP90T03GS-HF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,30V,98A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
PMV52ENER-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,30V,5A,RDS(on)=47(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
PMV52ENER
PMV52ENER
SPA21N50C3XKSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,500V,24A,RDS(on)=120(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
PSMN3R0-30YL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT669
PSMN3R0-30YL
PSMN3R0-30YL
KIA3401-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
KIA3401
KIA3401
NTB5D0N15MC-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,150V,140A,RDS(on)=5.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
STF8N90K5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,900V,7A,RDS(on)=770(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STF8N90K5;STF8N90K5
STF8N90K5;STF8N90K5
FCD380N60E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,11A,RDS(on)=370(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FCD380N60E;FCD380N60E
FCD380N60E;FCD380N60E
RX2L07BBGC7G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,60V,210A,RDS(on)=2.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PMV65UNEAR-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
PMV65UNEAR
PMV65UNEAR
IKA10N65ET6-VB
IGBT管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
IGBT+FRD,600/650V,10A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
FTP18N20C-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,200V,30A,RDS(on)=110(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPD70N10S3-12-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,85A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IPD70N10S3-12
IPD70N10S3-12
IPD80R600P7-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,800V,8A,RDS(on)=550(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRF9530NS-VB
P沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
P-Ch,-100V,-12A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
IRF9530NS;IRF9530NS
IRF9530NS;IRF9530NS