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产品列表

共计 22704 条库存
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NVTR01P02LT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
NVTR01P02LT1G;NVTR01P02LT1G
NVTR01P02LT1G;NVTR01P02LT1G
IPP041N12N3 G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IRFR3711ZTRPBF-VB
低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,20V,120A,RDS(on)=2.5(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=0.5~1.5V
IRFR3711ZTRPBF;IRFR3711ZTRPBF
IRFR3711ZTRPBF;IRFR3711ZTRPBF
20N60S5-VB TO247
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
200N15N-VB TO252
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,150V,50A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
2N7002PS,125-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-6
N+N-Ch,60V,0.35A,RDS(on)=1800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
ST3422AS23RG-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,5.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
ST3422AS23RG(STANSON/司坦森)
ST3422AS23RG(STANSON/司坦森)
SI4559EY-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±60V,5.3/-4.9A,RDS(on)=26/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
FDB060AN08A0-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,80V,120A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NVBYST0D6N08XTXG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TOLT-16
N-Ch,100V,415A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
DMT32M5LFG-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,30V,70A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IMZA65R072M1H-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247-4L
N-Ch,650V,30A,RDS(on)=70(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +20V,Vth=2~5V
ISC010N06NM5ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,200A,RDS(on)=1.3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPD65R600C6-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,700V,10A,RDS(on)=600(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IPD65R600C6
IPD65R600C6
SVF10N60F-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SVF10N60F;SVF10N60F
SVF10N60F;SVF10N60F