产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FCPF11N60T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=320(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI3410DV-T1-BE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK751R6-30E,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,260A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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KHB9D5N20F-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,200V,10A,RDS(on)=265(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SI9407DY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-60V,-8A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IPA65R600E6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,700V,10A,RDS(on)=390(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PMV37EN,215-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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DMP4047SK3-VB
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P沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-40V,-40A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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HUF75852G3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,150V,150A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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RS1E220AT-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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PMN48XP,125-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-6
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P-Ch,-30V,-4.8A,RDS(on)=49(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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4N50L-TA3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NTMFS6H801NT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DMN3024LK3-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK964R1-40E,118-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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