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产品列表

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FDP8880-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
NVTFS015N04CTAG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,40V,28A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
SI3460DV-T1-E3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-6
N-Ch,30V,6A,RDS(on)=26(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
SI3460DV-T1-E3(VISHAY/威世)
SI3460DV-T1-E3(VISHAY/威世)
IMZ120R030M1HXKSA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247-4L
N-Ch,1200V,65A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +22V,Vth=2~4V
IMZ120R030M1HXKSA1;IMZ120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1;IMZ120R030M1HXKSA1
2SK3069-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
2SK3069;2SK3069
2SK3069;2SK3069
NVTFS5C673NLWFTAG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
QFN8(3X3)
NVTFS5C673NLWFTAG
NVTFS5C673NLWFTAG
STP13N80K5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,800V,15A,RDS(on)=380(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
STP13N80K5
STP13N80K5
CSD16408Q5C-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
FCPF190N60E-F154-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
NVMFS5834NLWFT1G-UM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,60A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.74V
AUIRF1405ZL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO262
N-Ch,60V,210A,RDS(on)=2.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
FDD8N50NZTM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
2SK3433-ZJ-E1-AZ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,50A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
CJ8820-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
CJ8820
CJ8820
NVMFD5C462NT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)-B
N+N-Ch,40V,60A,RDS(on)=5.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.1V