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产品列表

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TPN11006NL,LQ-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
NCEP0114AS-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,100V,15.5A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
NCEP0114AS;NCEP0114AS
NCEP0114AS;NCEP0114AS
FDN338P-NL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
FDN338P-NL(ONSEMI/安森美)
FDN338P-NL(ONSEMI/安森美)
SSC8034GS6-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRFP054VPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
BUK9237-55A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
BUK9237-55A;BUK9237-55A
BUK9237-55A;BUK9237-55A
MCB7D2N15YH-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,150V,140A,RDS(on)=5.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
AOD66919-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,85A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
2SK3373-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
MTD2K5P20KM3-VB
中低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT89
P-Ch,-200V,-3A,RDS(on)=2000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
ZXMP3F30FHTA-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
TPCA8045-H(T2L1,VM-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,150A,RDS(on)=1.09(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
NCE0224A-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,200V,80A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=4.21
SI2310-TP-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
SI2310-TP
SI2310-TP
SQJ166ELP-T2_GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,60V,64A,RDS(on)=6.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~3V