产品列表
共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IGL65R055D2-VB
|
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8X8
|
Single-N,650V,20A,RDS(on)=110@VGS=6V,VGS=-1.5~7V,Vth=1.5V
|
|
|
|
FDMC86183-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(3X3)
|
N-Ch,100V,50A,RDS(on)=10.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
2SK2503-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,60V,18A,RDS(on)=73(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
2SK2503
2SK2503
|
|
|
SIR878BDP-T1-RE3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,100V,65A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
TPM7R10CQ5,LQ-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,150V,70A,RDS(on)=13.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
2SK1585-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT89
|
N-Ch,30V,6.8A,RDS(on)=22(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
FDD1600N10ALZD-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
NTS4001NT3G-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SC70-3
|
N-Ch,30V,0.5A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.8V
|
|
|
|
STL300N4LF8-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|
|
|
AON7290-VB
|
N沟道MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(3X3)
|
N-Ch,100V,50A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
AON7290
AON7290
|
|
|
BUK9Y19-55B,115-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
LFPAK56
|
N-Ch,60V,64A,RDS(on)=6.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~3V
|
|
|
|
MDU2657RH-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
NCE90N340D-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,900V,20A,RDS(on)=270(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
NCEP01P60G-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
P-Ch,-100V,-55A,RDS(on)=21(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2~-4V
|
|
|
|
2SK3113-ZK-E2-AZ-VB
|
N沟道MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,600V,4A,RDS(on)=1440(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|