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产品列表

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RSD140P06-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
P-Ch,-60V,-35A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
BSS84AKW-B-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
P-Ch,-60V,-0.135A,RDS(on)=4000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
20N60CFD-VB TO220F
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FQD12N10-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,15A,RDS(on)=114(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
IPA80R460CEXKSA2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,800V,11A,RDS(on)=480(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
NTMFS022N15MC-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,150V,70A,RDS(on)=13.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FDP3682-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,55A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
TSM2308CX RFG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
DMT6030LFDF-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,60V,14A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.76V
IRFPS40N50LPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO3P
N-Ch,600V,47A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRFPS40N50LPBF;IRFPS40N50LPBF
IRFPS40N50LPBF;IRFPS40N50LPBF
MDV3605URH-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-30V,-45A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
MDV3605URH
MDV3605URH
MCG029N06L-TP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,60V,30A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
RZR020P01TL-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
RZR020P01TL
RZR020P01TL
SW13N65K2-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=340(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRF740APBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,650V,9A,RDS(on)=500(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRF740APBF;IRF740APBF
IRF740APBF;IRF740APBF