产品列表
共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7809AV-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP-8
|
IRF7809AV
IRF7809AV
|
||
|
TPC8120-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
P-Ch,-30V,-18A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
|
TPC8120;TPC8120
TPC8120;TPC8120
|
|
|
SCT040W65G3-4-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO247-4L
|
N-Ch,650V,40A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +20V,Vth=2~5V
|
|
|
|
NVMFS4C310NWFT3G-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)
|
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=4.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~2V
|
|
|
|
IPB042N10N3 G-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,100V,140A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
SIHG47N60E-E3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO247
|
N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
BSZ240N12NS3 G-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(3X3)
|
N-Ch,100V,35.5A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
AOT240L-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,40V,110A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
AOT240L
AOT240L
|
|
|
IRF5305STR-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
P-Ch,-60V,-35A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
|
|
|
IPA60R165CP-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
4805NG-VB TO251
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO251
|
N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
RJK5015DPK-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO3P
|
N-Ch,600V,20A,RDS(on)=190(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
BSS159N-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOT23-3
|
N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
BSS159N
BSS159N
|
|
|
HAT1020R-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
P-Ch,-30V,-5.8A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
HAT1020R
HAT1020R
|
|
|
NDB6030PL-VB
|
低压MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
P-Ch,-30V,-75A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
|
NDB6030PL;NDB6030PL
NDB6030PL;NDB6030PL
|