产品列表
共计 22704 条库存
关键词字符必须2个及以上!
分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RJK6026DPP-00#T2-VB
|
平面高压MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,600V,5A,RDS(on)=1120(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
RFG60P06E-VB
|
低压MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO247
|
P-Ch,-60V,-58A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
|
RFG60P06E;RFG60P06E
RFG60P06E;RFG60P06E
|
|
|
BS107P-VB
|
N沟道MOS管
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO92
|
N-Ch,200V,0.6A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=0.5V
|
|
|
|
NVMFD6H846NL-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN8(5X6)-B
|
N+N-Ch,100V,30A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
|
|
|
|
DTM9410-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
SI1553DL-T1-GE3-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SC70-6
|
N+P-Ch,±20V,3.28/-2.8A,RDS(on)=90/155(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=1.0/-1.2V
|
|
|
|
PHB33NQ20T,118-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,200V,40A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
RF7L120BKFRATCR-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
DFN6(2X2)
|
N-Ch,60V,14A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.76V
|
|
|
|
IRF9510STRR-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
P-Ch,-100V,-12A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
|
|
|
|
FCP190N60-VB
1
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220
|
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
2SK1352-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
|
|
|
|
DTU09N03-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO252
|
N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
SUM85N03-07P-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO263
|
N-Ch,30V,98A,RDS(on)=2.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
|
|
|
|
HY1915P-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
TO220F
|
N-Ch,150V,50A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
|
|
|
|
DMN4026SSDQ-13-VB
|
MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
|
26+
|
SOP8
|
N+N-Ch,40V,13A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
|
|