产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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IRFS23N20D-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,200V,40A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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MCU3D6N04YQ-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,120A,RDS(on)=1.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AOD11S60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,11A,RDS(on)=370(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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HUFA76419D3S-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NTB6413ANG-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,45A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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AO4260-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,60V,16A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AO4260;AO4260
AO4260;AO4260
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BSC155N06ND-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,60V,40A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRFIB6N60APBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=1100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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DMG1013T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC75-3
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P-Ch,-20V,-0.55A,RDS(on)=450(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=-0.6V
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SI4559EY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
|
VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±60V,5.3/-4.9A,RDS(on)=26/55(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8/-1.7V
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PHX27NQ11T,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,50A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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D5N50-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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QM2414K-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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IRF1404Z-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,40V,180A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRF1404Z;IRF1404Z
IRF1404Z;IRF1404Z
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CET6426-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,60V,4.5A,RDS(on)=76(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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