产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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IRFR8713TRPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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PXP020-20QXJ-VB
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P沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-15A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±8V,Vth=-0.6V
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5N65L-TF3-T-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2560(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IRF9530STRR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-100V,-12A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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SIRA06DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI2303BDS-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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STB21N65M5-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,700V,20A,RDS(on)=210(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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PMV30UN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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VS2301BC-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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TK5P60W-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AO4852-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP2304AGN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FQD6N50C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,5A,RDS(on)=1000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BUK652R7-30C,127-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDN337N-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDN337N-NL(ONSEMI/安森美)
FDN337N-NL(ONSEMI/安森美)
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