产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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2SK1062(TE85L,F)-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-60V,-4.5A,RDS(on)=70(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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NP82N06PDG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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N6068-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT223
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N-Ch,60V,7A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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PMV25ENEA215-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRFB61N15DPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,150V,50A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRFB61N15DPBF
IRFB61N15DPBF
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CSD19534Q5AT-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,65A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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IPI65R190C6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO262
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AP83T02GH-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,100A,RDS(on)=3.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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NVMFS5C404NLWFAFT1G-TK-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,280A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2V
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IRF840NS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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RUH60100M-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,180A,RDS(on)=1.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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DMT6005LPSW-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,100A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRFI9Z24GPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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P-Ch,-60V,-20A,RDS(on)=100(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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NVD5862NT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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SPB08P06PG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=64(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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