产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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IXFH30N60P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NTMFD6H846NLT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,100V,30A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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DMP26M7UFG-7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
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NVMFD5C478NLT1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)-B
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N+N-Ch,60V,40A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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RBA012N10R1SBQ4#GB0-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TOLT-16
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N-Ch,100V,415A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IRFR9024TR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-30A,RDS(on)=90(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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DMT15H017SK3-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,150V,50A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IXTQ96N20P-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO3P
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N-Ch,150V,90A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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IXTQ96N20P;IXTQ96N20P
IXTQ96N20P;IXTQ96N20P
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SIR880DP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,80V,60A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AM4424N-T1-PF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,13A,RDS(on)=8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TPH2R003PL,LQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,160A,RDS(on)=1.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI6544BDQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TSSOP8
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N+P-Ch,±30V,6.2/-5A,RDS(on)=22/45(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2/-2V
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PSMN4R4-80BS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,80V,180A,RDS(on)=3.1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NTTFS4937NTAG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,60A,RDS(on)=4.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.46V
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SSM3J358R,LF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-5A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=-0.6V
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