产品列表
共计 22704 条库存
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分类:
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FQD5P20-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-200V,-3.6A,RDS(on)=1160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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STP13NM60N-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,15A,RDS(on)=220(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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STP13NM60N;STP13NM60N
STP13NM60N;STP13NM60N
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AON6450-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,100V,65A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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ZXMN2A14FTA-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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BUK9Y4R8-60E,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,60V,100A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.4V
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SI4838DY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,25A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AP9579GP-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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P-Ch,-60V,-50A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IRLU3410PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO251
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N-Ch,100V,15A,RDS(on)=110(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IRLU3410PBF;IRLU3410PBF
IRLU3410PBF;IRLU3410PBF
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IRFH5406TR2PBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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SVD5865NLT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,58A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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MT3400-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SISS23DN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-52A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-1.2V
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IAUS300N08S5N014TATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TOLT-16
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N-Ch,100V,415A,RDS(on)=1.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NTD5807NT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,55A,RDS(on)=12(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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HY19P03P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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