产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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TM2314FN-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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TM2314FN(TECHMOS)
TM2314FN(TECHMOS)
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DMTH6030LFDFWQ-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,60V,14A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.76V
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STP33N60M6-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,600V,32A,RDS(on)=85(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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AP9971GP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=24(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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AOD2816-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,80V,75A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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XP132A1275SR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-20V,-13A,RDS(on)=15(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
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BM2300-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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TK20E60W,S1VX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO220
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N-Ch,600V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IPB009N03L G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263-7L
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N-Ch,40V,200A,RDS(on)=1(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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APM2023NUC-TRL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK9Y14-40B-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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BUK9Y14-40B;BUK9Y14-40B
BUK9Y14-40B;BUK9Y14-40B
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FSS248-TL-E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,40V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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AM7434N-T1-PF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=4.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~2V
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BS107ARL1G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
TO92
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TSM2314CX RF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
|
SOT23-3
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N-Ch,20V,6A,RDS(on)=28(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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TSM2314CX RF(TSC/台湾半导体)
TSM2314CX RF(TSC/台湾半导体)
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