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产品列表

共计 22704 条库存
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PMN27UP-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-6
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=34(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
AO8803-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TSSOP8
P+P-Ch,-20V,-7.5A,RDS(on)=13(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.2V
AO8803;AO8803
AO8803;AO8803
DMTH10H025LK3-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,35A,RDS(on)=15(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
IXFH40N30Q-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,500V,50A,RDS(on)=83(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=4.29V
IXFH40N30Q;IXFH40N30Q
IXFH40N30Q;IXFH40N30Q
APM2321AAC-TRG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
IPP600N25N3G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,250V,50A,RDS(on)=41(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
IPP600N25N3G;IPP600N25N3G
IPP600N25N3G;IPP600N25N3G
WSF15N10-VB
中低压MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,16A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
WSF15N10;WSF15N10
WSF15N10;WSF15N10
IRFS3006-7PPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263-7L
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
MTB75N06HD-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BSC042NE7NS3GATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,80V,120A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
STW43NM50N-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,500V,50A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.8V
CS4N90P-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,950V,6A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.3V
HY1103S-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,13A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
CPH3348-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
SIHH11N60E-T1-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8X8
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V