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产品列表

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FDP20N50-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
FDP20N50;FDP20N50
FDP20N50;FDP20N50
SSC8035GS6-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-30V,-5.6A,RDS(on)=46(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
SSC8035GS6;SSC8035GS6
SSC8035GS6;SSC8035GS6
IRFS4228PBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,150V,128A,RDS(on)=7.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
DMN3067LW-7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SC70-3
N-Ch,20V,4A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
DMN3067LW-7
DMN3067LW-7
IPP50R380CE-VB
1
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,650V,18A,RDS(on)=430(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRFH5025TRPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,250V,35A,RDS(on)=42(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
IRFH5025TRPBF;IRFH5025TRPBF
IRFH5025TRPBF;IRFH5025TRPBF
SIR5802DP-T1-BE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,80V,180A,RDS(on)=1.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
PJQ5546-AU_R2_002A1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,70A,RDS(on)=4.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
STP30N20-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,200V,35A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
CS6N90FA9R-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,950V,6A,RDS(on)=2400(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
IRF540ZPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,70A,RDS(on)=17(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
IRF540ZPBF;IRF540ZPBF
IRF540ZPBF;IRF540ZPBF
AF9435PSLA-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
P-Ch,-30V,-5.8A,RDS(on)=33(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
BUK7D36-60EX-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)
N-Ch,60V,14A,RDS(on)=19(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.76V
BUK7D36-60EX;BUK7D36-60EX
BUK7D36-60EX;BUK7D36-60EX
BUK7514-60E,127-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRFI4110GPBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,100V,120A,RDS(on)=3.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V