产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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ISL9N308AD3ST-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,80A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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HM7N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,600V,8A,RDS(on)=780(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SIA427DJ-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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P-Ch,-20V,-10A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.6V
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SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3
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9467AGMT-HF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,70A,RDS(on)=4.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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UT6402G-AE3-R-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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MCAC4D4N04YL-TP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=1.09(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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APM9946J-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DIP8
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N+N-Ch,60V,6A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1~3V
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SE05N6C01HZ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN1006-2L
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BSZ019N03LSATMA1-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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UPA2790GR-E1-A-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
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K3659-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,30V,140A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDPF12N50FT-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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IXFR20N80P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,800V,15A,RDS(on)=370(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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BUK9Y72-80E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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IRL1004SPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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