产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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IGLR60R340D1-VB
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氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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Single-N,650V,10A,RDS(on)=190@VGS=6V,VGS=-1.4~7V,Vth=1.5V
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AOB2918L-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,140A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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RJK0392DPA-WS#J53-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SM6125NSKP-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,60V,100A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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BUK6215-75C-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,80V,75A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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D4184-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,40V,85A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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D4184
D4184
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STB270N4F3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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STGP30M65DF2-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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IGBT+FRD,600/650V,30A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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IPP055N03LG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,30V,120A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI4168DY-T1-E3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,25A,RDS(on)=3(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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FDMA410NZT-F130-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN6(2X2)
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N-Ch,20V,12A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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BSC430N25NSFD-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,250V,35A,RDS(on)=42(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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BSC430N25NSFD;BSC430N25NSFD
BSC430N25NSFD;BSC430N25NSFD
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IRFR430ATRPBF-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,500V,5A,RDS(on)=1040(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3V
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HM4402B-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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STGB20H60DF-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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IGBT+FRD,600/650V,20A,VCEsat=1.65V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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