产品列表
共计 22704 条库存
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分类:
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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DMPH33M8SPSWQ-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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P-Ch,-30V,-100A,RDS(on)=2.9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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IRFZ24SPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,50A,RDS(on)=32(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRF9530STRLPBF-VB
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中低压MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-100V,-12A,RDS(on)=200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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IRF9530STRLPBF
IRF9530STRLPBF
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APT6030BVR-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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APT6030BVR;APT6030BVR
APT6030BVR;APT6030BVR
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BUK964R8-60E,118-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,210A,RDS(on)=3.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FCD7N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,650V,7A,RDS(on)=700(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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NVD5C668NLT4G-VB
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N沟道MOS管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,97A,RDS(on)=4.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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NVD5C668NLT4G
NVD5C668NLT4G
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BSH114,215-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,100V,2A,RDS(on)=240(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.5V
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K1307-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,100V,18A,RDS(on)=86(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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IRFZ44ZPBF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,60V,60A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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IRFZ44ZPBF
IRFZ44ZPBF
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FDY102PZ-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC75-3
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P-Ch,-20V,-0.55A,RDS(on)=450(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±12V,Vth=-0.6V
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2SK3162-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220F
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N-Ch,200V,45A,RDS(on)=38(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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FR4105Z-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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UT4413L-S08-R-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-18A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-3V
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BSS138K-13-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,60V,0.3A,RDS(on)=2800(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BSS138K-13
BSS138K-13
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