产品列表
共计 22704 条库存
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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FQP8N60-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,600V,8A,RDS(on)=780(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI2316DS-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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6R099-VB TO247
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,650V,47A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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SI7407DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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P-Ch,-20V,-15A,RDS(on)=16(mΩ)@VGS=4.5V,VGS=±8V,Vth=-0.6V
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TSM2311CX RF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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P-Ch,-20V,-4A,RDS(on)=60(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=-0.8V
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ST2306S23RG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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2SK1155-E-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO220
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N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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DMTH43M8LFGQ-13-01-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,40V,100A,RDS(on)=2.2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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F9Z34NS-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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P-Ch,-60V,-35A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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HAT1047R-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-30V,-11.6A,RDS(on)=11(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
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BUK9Y7R8-80E,115-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,80V,90A,RDS(on)=6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.4V
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BUK7Y2R5-40HX-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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LFPAK56
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N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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CXDM4060P-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT89
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P-Ch,-60V,-6.5A,RDS(on)=58(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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IKW30N65ES5-VB
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IGBT管
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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IGBT+FRD,600/650V,40A,VCEsat=1.7V@ VGE=15V,VGE=±30V,VGEth=5V
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IKW30N65ES5;IKW30N65ES5
IKW30N65ES5;IKW30N65ES5
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SIS452DN-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,20V,100A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.6V
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