产品列表
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分类：
| 型号 | 分类 | 品牌 | 批号 | 封装 | 参数规格 | 替代参考 | 询价 |
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DMN3010LFG-7-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(3X3)
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N-Ch,30V,35A,RDS(on)=7.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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BUK7609-55A,118-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,60V,150A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
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35N60CFD-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,600V,47A,RDS(on)=65(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
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DMN3150LW-7-VB
1
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SC70-3
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N-Ch,20V,4A,RDS(on)=36(mΩ)@VGS=10V,VGS=±12V,Vth=0.5~1.5V
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HM50P06K-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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P-Ch,-60V,-50A,RDS(on)=20(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
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FDB3682-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO263
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N-Ch,100V,45A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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FDB3682
FDB3682
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AFN3404S23RG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOT23-3
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N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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RFG40N10-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247
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N-Ch,100V,85A,RDS(on)=35(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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FDS2582-NL-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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N-Ch,150V,5.4A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
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NTD20N03L27G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,30V,70A,RDS(on)=7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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F7240-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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SOP8
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P-Ch,-40V,-16.1A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2V
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NTD32N06LT4G-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,60V,45A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
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SI7434DP-T1-GE3-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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DFN8(5X6)
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N-Ch,250V,35A,RDS(on)=42(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3.5V
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NP40N10VDF-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO252
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N-Ch,100V,40A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
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SCT012W90G3-4AG-VB
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MOS(场效应管)
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VBSEMI/微碧半导体
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26+
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TO247-4L
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N-Ch,1200V,100A,RDS(on)=15(mΩ)@VGS=18V,VGS=-10 / +22V,Vth=2~4V
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