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产品列表

共计 22704 条库存
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HMS80N10KA-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,100V,85A,RDS(on)=8.5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
STB19NF20-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,200V,40A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
STB19NF20;STB19NF20
STB19NF20;STB19NF20
BSC070N10LS5ATMA1-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,100V,105A,RDS(on)=5.6(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
BSC070N10LS5ATMA1
BSC070N10LS5ATMA1
HAT3029R-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N+P-Ch,±30V,±8A,RDS(on)=18/40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.6/-1.7V
FDMS86322-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,80V,60A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FU9024-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO251
P-Ch,-60V,-20A,RDS(on)=66(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
IPP030N10N5-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,100V,120A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
IPP030N10N5
IPP030N10N5
PSMN1R0-30YLC,115-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
LFPAK56
N-Ch,40V,150A,RDS(on)=0.7(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
DMP1046UFDB-13-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN6(2X2)-B
P+P-Ch,-20V,-5.3A,RDS(on)=40(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-0.8V
SCT070W120G3-4AG-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247-4L
N-Ch,1200V,30A,RDS(on)=80(mΩ)@VGS=18V,VGS=-4 / +22V,Vth=2~4V
SUB85N10-10-GE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,100V,100A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
IPI60R199CP-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO262
N-Ch,650V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
TPN4R806PL,L1Q-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
N-Ch,60V,30A,RDS(on)=5(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FDMS5672-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,60V,50A,RDS(on)=10(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
FDMS5672;FDMS5672
FDMS5672;FDMS5672
NVMFSC0D9N04C-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V