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产品列表

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2SK209-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
P-Ch,-60V,-0.5A,RDS(on)=3000(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
2SK209;2SK209
2SK209;2SK209
DMP3018SFV-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(3X3)
P-Ch,-30V,-30A,RDS(on)=9(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-2.5V
SPW24N60CFD-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO247
N-Ch,600V,20A,RDS(on)=160(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
SPW24N60CFD
SPW24N60CFD
DMN2041L-7-F-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,30V,6.5A,RDS(on)=30(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
HFD4N50-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO252
N-Ch,650V,4A,RDS(on)=2200(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V
MTB20N20E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO263
N-Ch,200V,40A,RDS(on)=48(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
2SJ317NYTL-E-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT89
P-Ch,-30V,-7.6A,RDS(on)=50(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=-1.7V
IRFP150APBF-VB
N沟道MOS管
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO3P
N-Ch,100V,65A,RDS(on)=18(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.8V
CMS9475-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,60V,7.6A,RDS(on)=25(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
NVMFS5C404NWFAFT1G-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
DFN8(5X6)
N-Ch,40V,250A,RDS(on)=0.8(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=2.5V
NVMFS5C404NWFAFT1G;NVMFS5C404NWFAFT1G
NVMFS5C404NWFAFT1G;NVMFS5C404NWFAFT1G
SQ2362ES-T1_BE3-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOT23-3
N-Ch,60V,4A,RDS(on)=75(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
STP400N4F6-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220
N-Ch,40V,180A,RDS(on)=2(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
FDS7064N7-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
SOP8
N-Ch,30V,18A,RDS(on)=4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=1.7V
IRLU2908PBF-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO251
N-Ch,80V,75A,RDS(on)=6.4(mΩ)@VGS=10V,VGS=±20V,Vth=3V
TSF7N60S-VB
MOS(场效应管)
VBSEMI/微碧半导体
26+
TO220F
N-Ch,650V,12A,RDS(on)=680(mΩ)@VGS=10V,VGS=±30V,Vth=3.5V